ABB 5SHX1060H0003 3BHB020538R0001 提供最高的功率水平

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　　Due to the turn-of in a transistor mode very high dv/dtrobustness is experienced. This feature allows inherentlyto reduce or to get rid of the dv/dt snubber. A snubber-less operation of the IGCT can be found in fig. 2, wherethe turn-off of 3kA with a 1stgeneration IGCT device isshown.VD VG IT-2.5-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0kV-25-20-15-10-505101520253035404550V-2.5-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0kA10 15 20 25 30 35 40µsFigure 2:3kA Snubberless Turn-off of a 4.5kV(85mm) 1stgeneration IGCT3kA, 4.5kV, 125 °C,85mmGTO IGCT 1stgen.On-state voltage Vtm 3.2 V 3.2 VTurn-on di/dt 500 A/µs 3000 A/µsTurn-on energy Eon 5Ws 1 WsTurn-off energy Eoff (3kA)10 Ws at6µF10 Ws at 6µF13 Ws at 0µFSnubber cap. Cs (3 kA) 6 µF 0 to 6µFMax turn-off currentITGQM3 kA 3 to 6kAGate drive power (500 Hz) 80 W 30 WGate stored charge Qgq 8000 µC 2000 µCMax. turn-off dv/dt 500V/µs 3-4000V/µsStorage time ts 20 µs 1 µs

　　5SHX1445H0002功率半导体的发展必须面对物理和经济上的限制，即阻断电压和最大关断电流的不断发展。目前，GTO技术的典型最大值是6kV动态阻断电压和6k关断电流。这相当于一个没有串联装置的NPC逆变器的最大逆变功率约为15MVA。最新的IGCT技术本质上包括进一步扩大这一数值的可能性。但这种创新将不足以满足未来的需求。未来的电力电子系统市场要求转换器的功率，明显超过15MVA的数值。为了达到更高的额定功率，一种解决方案是将总功率分配给几个子系统。这种安装方式比单一的大功率转换器要复杂得多。更重要的是，它们的购买和运行成本更高，效率更低，全功率能力下降，而且占用更多空间。未来大功率应用的关键创新是引进串联的关断设备。

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